T_J

Operating Junction Temperature

-55 to +150

°C

T_S

Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

V_DS

Drain-to-Source Voltage

650

V

V_{DS(transient)}

Drain-to-Source Voltage - transient 1

850

V

V_GS

Gate-to-Source Voltage

-10 to +7

V

V_{GS(transient)}

Gate-to-Source Voltage - transient 1

-20 to +10

V

I_DS

Continuous Drain Current (T_case = 25 °C)

8

A

I_DS

Continuous Drain Current (T_case = 100 °C)

5

A

I_DS Pulse

Pulse Drain Current (Pulse width 10 µs, V_GS = 6 V) 2

13.5

A

V_(BL)DSS

Drain-to-Source Blocking Voltage

V_GS = 0 V, I_DSS < 13 µA

650

V

R_DS(on)

Drain-to-Source On Resistance

V_GS= 6 V, T_J= 25°C, I_DS = 2.2 A

225

285

mΩ

R_DS(on)

Drain-to-Source On Resistance

V_G= 6 V, T_J= 150°C, I_DS = 2.2 A

569

mΩ

V_GS(th)

Gate-to-Source Threshold

V_DS = V_GS, I_DS = 1.7 mA

1.1

1.7

2.6

V

I_GS

Gate-to-Source Current

V_GS = 6 V, V_DS = 0 V

40

µA

V_plat

Gate Plateau Voltage

V_DS = 400 V, I_DS = 8 A

3.5

V

I_DSS

Drain-to-Source Leakage Current

V_DS= 650 V, V_GS= 0 V, T_J = 25°C

0.5

13

µA

I_DSS

Drain-to-Source Leakage Current

V_DS= 650 V, V_GS= 0 V, T_J = 150°C

102

µA

R_G

Internal Gate Resistance

f = 5 MHz

2

Ω

C_ISS

Input Capacitance

V_DS = 400 V 

V_GS = 0 V 

f = 100 kHz

54

pF

C_OSS

Output Capacitance

14

pF

C_RSS

Reverse Transfer Capacitance

0.3

pF

Q_G

Total Gate Charge

V_GS = 0 to 6 V

V_DS = 400 V

1.6

nC

Q_GS

Gate-to-Source Charge

0.5

nC

Q_GD

Gate-to-Drain Charge

0.5

nC

Q_OSS

Output Charge

V_GS = 0 V, V_DS = 400 V

14

nC

Q_RR

Reverse Recovery Charge

0

nC