×
首页
关于我们
透镜光纤
三代半导体产品
光模块和光引擎
新闻中心
联系我们
×
三代半导体产品
首页
三代半导体产品
全部
18
外延片
3
器件
9
芯片
6
外延片
产品名称
产品型号
尺寸
类型
碳化硅基碳化硅外延片
NE60SCSC
6 inch
SiC-Epi on SiC-sub
碳化硅基氮化镓外延片
NE60GNSC
6 inch
GaN-Epi on SiC-sub
硅基氮化镓外延片
NE60GNSI
6 inch
GaN-Epi on Si-sub
器件
产品名称
产品型号
电压值
电流值
电阻值
功率
封装
SiC MOSFET Device
NDS0801200TO4L
1200V
40A
80mΩ
166W
TO247-4L
GaN HEMT Device
NDH2450650DN88
650V
9A
245mΩ
38W
DFN8x8
GaN E-mode HEMT Device
NDN2250650DN56
650V
8A
225mΩ
-
PDFN5×6P
GaN HEMT Device
NDH1250650TO3L
650V
23A
125mΩ
100W
TO220-3L
GaN HEMT RF Amplifier Device
NDA0150050DC2
50V
1.93A
1.5Ω
15W
DFN6x3
SiC HEMT Device
NDH0161200TO3L
1200V
115A
16mΩ
446W
TO247-3L
Depletion Mode MOSFET Device
NDD0640100TO3L
100V
16A
64mΩ
830W
TO247-3L
N-channel E-mode FET Device
NDN0090080DN56
80V
50A
9mΩ
50W
PDFN5x6P
P-channel E-mode FET Device
NDP0930100TO3L
-100V
-17A
93mΩ
62.5W
TO252-3L
芯片
产品名称
产品型号
电压值
电流值
电阻值
碳化硅芯片
NC0801200
1200V
25A
80mΩ
碳化硅芯片
NC0801200
1200V
38A
80mΩ
碳化硅芯片
NC0401200
1200V
60A
40mΩ
碳化硅芯片
NC0161200
1200V
115A
16mΩ
IGBT芯片
NC1200150N
1200V
150A
IGBT芯片
NC1200100N
1200V
100A
QQ
电话
027-87807177
工作日 9:00-17:00
公众号
扫一扫,关注联映
TOP