V_DS

Drain to Source Voltage

-

1200

V

V_GS

Gate to Source Voltage

-

-4~20

I_DS

Continuous Drain Current

T_C =25℃

40

A

I_DM

Pulsed Drain Current

-

80

P_D

Power Dissipation

T_C =25℃

166

W

T_J

Operating Temperature

-

-55~175

℃

T_S

Storage Temperature

-

-55~175

B_VDSS

Drain to Source Breakdown Voltage

V_GS =0V, I_D =1mA

1200

V

V_{GS_th}

Gate Threshold Voltage

V_DS =10V, I_D =2.5mA

3

4

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

V_GS =0V, V_DS =1200V, T_j=25℃

1.2

μA

V_GS =0V, V_DS =1200V, T_j=150℃

2.4

I_GSS+

Gate to Source Leakage Current

V_GS =20V, V_DS =0V

100

nA

I_GSS-

Gate to Source Leakage Current

V_GS =-4V, V_DS =0V

-100

R_DS(on)

Drain to Source on Resistance

V_GS =18V, I_D =16A, T_j=25℃

80

100

mΩ

V_GS =18V, I_D =16A, T_j=125℃

120

R_G

Gate Resistance

V_GS =0V, V_DS Open, f=1MHz

6

Ω

C_iss

Input Capacitance

V_GS =0V, V_DS =800V, f_s=1MHz

1100

pF

C_oss

Output Capacitance

-

50

C_rss

Reverse Capacitance

-

8

Q_g

Total Gate Charge

V_DS =600V, I_D =16A, V_GS =18V

70

nC

Q_gs

Gate to Source Charge

12

Q_gd

Gate to Drain Charge

38

t_d(ON)

Turn On Delay Time

V_DS=400V, I_D=16A,

V_GS =0V/18V,

R_GS =5Ω

15

nS

t_r

Rise Time

17

t_d(OFF)

Turn Off Delay Time

36

t_f

Fall Time

10

Body Diode Electrical Characteristics

V_SD

Body Diode Forward Voltage

V_GS =0V, I_S =16A

-

3.5

4

V

I_S

Body Diode Forward Current

Continuous

-

-

50

A

I_rrm

Peak Reverse Recover Current

V_R=600V, I_S =32A

9

t_rr

Reverse Recover Time

18

nS