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三代半导体产品
器件
全部
18
外延片
3
器件
9
芯片
6
器件
产品名称
产品型号
电压值
电流值
电阻值
功率
封装
SiC MOSFET Device
NDS0801200TO4L
1200V
40A
80mΩ
166W
TO247-4L
GaN HEMT Device
NDH2450650DN88
650V
9A
245mΩ
38W
DFN8x8
GaN E-mode HEMT Device
NDN2250650DN56
650V
8A
225mΩ
-
PDFN5×6P
GaN HEMT Device
NDH1250650TO3L
650V
23A
125mΩ
100W
TO220-3L
GaN HEMT RF Amplifier Device
NDA0150050DC2
50V
1.93A
1.5Ω
15W
DFN6x3
SiC HEMT Device
NDH0161200TO3L
1200V
115A
16mΩ
446W
TO247-3L
Depletion Mode MOSFET Device
NDD0640100TO3L
100V
16A
64mΩ
830W
TO247-3L
N-channel E-mode FET Device
NDN0090080DN56
80V
50A
9mΩ
50W
PDFN5x6P
P-channel E-mode FET Device
NDP0930100TO3L
-100V
-17A
93mΩ
62.5W
TO252-3L
QQ
电话
027-87807177
工作日 9:00-17:00
公众号
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