5

i-GaN

-

2

-

-

4

i-AlGaN

0.25

27

-

-

3

i-GaN

-

350

-

-

2

i-GaN (C-doped)

-

~3900

(C)

*

1

Buffer layer (C-doped)

-

Sub

Si

Barrier layer thickness (nm)

designed ±10%

XRD

3 points

"calibration epi"*

Barrier layer Al composition

designed ±0.02

XRD

3 points

"calibration epi"*

FWHM(0002) (arcsec)

≦1000 (≦750 [target])

XRD

center

for each wafer

FWHM(10-12) (arcsec)

≦1800 (≦900 [target])

Total epi thickness (nm)

Average

designed ±10%

optical nterferometer

whole surface

for each wafer

Wafer Bowing (μm)

-50um≦ Bow ≦50

FRT method

whole surface

for each wafer

Surface particle number [surfscan]

Total: ～500 [Reference]

Surfscan

whole surface

for each wafer